高純鉻靶的目標晶粒尺寸和分布：通常，靶材材料具有多晶結構，并且晶粒尺寸可以在微米到毫米的數量級上。對于相同組成的靶材，細粒靶材的濺射速率比粗粒高純度鉻靶材的濺射速率快，而晶粒尺寸較小的靶材具有更均勻的沉積膜厚度分布。

通過真空熔融法制造的靶材可以確保塊中沒有孔，但是通過粉末冶金法制造的高純鉻靶可能包含一定數量的孔。 孔的存在會在濺射過程中引起異常放電，從而導致雜質顆粒。 另外，由于其密度低，帶孔的目標在操作，運輸，安裝和操作過程中很容易破碎。

鉻靶廠家告訴你，鉻靶靶材的加工工藝：用于集成電路制造的濺射靶材的加工技術主要包括熔煉，均質化，壓力加工和機械加工。 在嚴格控制靶材純度的基礎上，鉻靶材，鈮靶材和鈦鋁靶材可以通過優化壓力處理工藝，熱處理條件和機械加工條件來調節靶材的晶粒取向和晶粒尺寸。

高純鉻靶的靶材雜質控制：如果靶材中的夾雜物過多，則在濺射過程中晶圓上可能會形成顆粒，導致互連短路或斷開，嚴重影響性能。 高純鉻靶中的大多數夾雜物是在冶煉和鑄造過程中形成的，主要由氧化物組成，但也包括氮化物，碳化物，氫化物，硫化物，硅化物等，因此應在鑄造過程中使用 。高純鉻靶鑄造前，應將熔體表面的氧化物和其他爐渣清除。 通常，它們在真空或無氧環境中熔融并澆鑄。 市場上鉻靶價格也有所不同。

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