鉻靶材在磁記錄與儲能領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色，是實(shí)現(xiàn)高密度數(shù)據(jù)存儲和高效電化學(xué)能量轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵薄膜原材料。與裝飾鍍膜等領(lǐng)域相比，此處的應(yīng)用對靶材的純度、微觀結(jié)構(gòu)均一性及特定磁/電性能提出了近乎苛刻的要求，技術(shù)壁壘高，長期由少數(shù)國際企業(yè)主導(dǎo)。
一、 定義與材質(zhì)
定義：磁記錄與儲能用鉻靶材，是指通過磁控濺射等物理氣相沉積（PVD）技術(shù)，在硬盤盤片、新型儲能器件基片上沉積功能性薄膜所需的高純鉻金屬或鉻基合金靶材。
主要材質(zhì)：
鉻基合金靶材：這是該領(lǐng)域的絕對主流。 鉻很少以純金屬形式使用，通常與鈦（Ti）、鉭（Ta）等元素制成合金，以精確調(diào)控薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、應(yīng)力以及與下層材料的結(jié)合力。例如，鉻鈦（CrTi）和鉻鉭鈦（CrTaTi）合金靶材是垂直磁記錄硬盤中制備底層薄膜的核心材料。
高純鉻靶材：用于對純度要求極高的場合，例如某些儲能器件中功能性化合物的制備前驅(qū)體。研究表明，通過熱等靜壓等技術(shù)可制備出致密度高達(dá)99.86%的高純鉻靶。
反應(yīng)濺射化合物前驅(qū)體：以金屬鉻或鉻合金為靶材，在濺射過程中通入氮?dú)猓∟?）等反應(yīng)氣體，可直接在基片上沉積出氮化鉻（CrN） 等化合物薄膜。例如，CrN薄膜已被研究用作全固態(tài)薄膜鋰離子電池的負(fù)極材料。
二、 關(guān)鍵性能特點(diǎn)
該領(lǐng)域?qū)︺t靶材的要求核心在于保障最終薄膜的功能性，可概括為 “結(jié)構(gòu)適配”、“極致均勻”與“性能精確”。
精細(xì)調(diào)控的晶體結(jié)構(gòu)與晶格匹配：合金靶材的成分（如Ti含量可在10至60 at%之間調(diào)整）需確保沉積出的薄膜具有特定的晶體結(jié)構(gòu)和晶格常數(shù)。這層薄膜作為襯底層或粘結(jié)層，必須為上層的關(guān)鍵磁性存儲層提供完美的外延生長模板，以減少缺陷、提升磁記錄性能。
極高的純度與致密度：靶材純度通常要求≥99.9%，高純度是保證薄膜成分純凈、電學(xué)/磁學(xué)性能穩(wěn)定可靠的基礎(chǔ)。同時(shí)，靶材必須具備極高的相對密度（通常要求≥98%），高致密度能確保濺射過程穩(wěn)定，減少顆粒飛濺，獲得致密無孔的薄膜。
納米級微觀組織均勻性：靶材內(nèi)部要求晶粒細(xì)小、成分分布絕對均勻，不允許有偏析、氣孔等缺陷。任何微觀不均勻都會在放大數(shù)萬倍后體現(xiàn)在薄膜上，導(dǎo)致磁記錄介質(zhì)的信號噪聲增大或儲能器件的性能衰減。
優(yōu)異的非磁性與界面特性：用于磁記錄襯底層的鉻基合金靶材，其沉積的薄膜本身必須具備良好的非磁性，以避免干擾上層的磁存儲層。同時(shí)，薄膜需與玻璃/鋁質(zhì)盤基、以及上層的軟磁層之間具有優(yōu)異的附著力和低的界面應(yīng)力。
三、 主要執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
該領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)專業(yè)性強(qiáng)，通常針對具體合金體系和應(yīng)用場景。
核心行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)：
《YS/T 1357-2020 磁記錄用鉻鉭鈦合金濺射靶材》：適用于6英寸至8英寸垂直磁記錄硬盤。
《YS/T 1683-2024 磁記錄用鉻鈦合金濺射靶材》：最新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，明確適用于垂直磁記錄硬盤、磁盤。
標(biāo)準(zhǔn)制定的背景與意義：長期以來，相關(guān)靶材技術(shù)和市場被國外公司壟斷，國內(nèi)嚴(yán)重依賴進(jìn)口。以寧波江豐電子為代表的國內(nèi)企業(yè)通過技術(shù)攻關(guān)實(shí)現(xiàn)突破后，牽頭制定了上述標(biāo)準(zhǔn)，旨在規(guī)范產(chǎn)品質(zhì)量、推動國產(chǎn)化并保護(hù)自主知識產(chǎn)權(quán)。
四、 加工工藝、關(guān)鍵技術(shù)及流程
其制造是粉末冶金與精密熱加工技術(shù)的結(jié)合，核心在于解決合金均質(zhì)化、高致密化和晶粒細(xì)化的難題。
1. 核心加工流程：
高純鉻/鈦/鉭等原料粉末 → 粉末配比與混合（關(guān)鍵）→ 裝套、封焊與脫氣處理 → 熱等靜壓（HIP）成型 → 坯料加工 → 熱處理（必要時(shí)）→ 精密機(jī)加工至成品尺寸 → 清洗、檢測與真空包裝。
2. 關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)：
粉末冶金與熱等靜壓技術(shù)：這是制備鉻鈦合金靶材的主流且最有效的方法。將高純金屬粉末按精確比例在惰性氣氛中長時(shí)間混合，確保成分均勻。隨后通過熱等靜壓在高溫高壓下使其致密化成形，可獲得接近理論密度（≥99%）、組織均勻。此方法優(yōu)于傳統(tǒng)的真空熔煉鑄造法，后者易產(chǎn)生成分偏析和組織不均。
微觀組織均勻性調(diào)控技術(shù)：通過精確控制熱等靜壓的溫度、壓力、時(shí)間參數(shù)，以及后續(xù)的熱處理工藝，獲得細(xì)小、等軸的晶粒組織，徹底消除粉末顆粒邊界和微觀孔隙。
全過程潔凈與防污染控制：從粉末處理到成品包裝的全流程，都需在嚴(yán)格的環(huán)境控制下進(jìn)行，最大限度降低氧、氮等雜質(zhì)氣體的引入，保證靶材純度。
五、 具體應(yīng)用領(lǐng)域
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 具體功能與作用 | 技術(shù)要求與工藝特點(diǎn) |
| 磁記錄介質(zhì)（硬盤核心） | 主要用于制備垂直磁記錄硬盤盤片中的 “襯底層”或“粘結(jié)層” 。這層CrTi合金薄膜位于盤基與磁性存儲層之間，核心作用是：
| 對靶材成分均勻性、晶粒尺寸和晶體取向有極致要求。濺射工藝需確保大面積薄膜的厚度和結(jié)構(gòu)均勻性。 |
| 1. 提供晶格模板：其特定的晶體結(jié)構(gòu)引導(dǎo)上層磁性層沿垂直方向生長，是實(shí)現(xiàn)高密度垂直磁記錄的前提。 |
| 2. 增強(qiáng)附著力：牢固粘結(jié)非磁性的盤基（如玻璃）與功能性薄膜。 |
| 3. 控制微觀結(jié)構(gòu)：細(xì)化上層磁性晶粒，降低介質(zhì)噪聲。 |
| 儲能器件 | 1. 薄膜電池負(fù)極材料：以鉻為靶，通過反應(yīng)濺射制備氮化鉻（CrN）薄膜。該材料作為鋰離子電池負(fù)極，具有比容量高、循環(huán)壽命長、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。
| 關(guān)注薄膜的電化學(xué)活性、離子電導(dǎo)率及在充放電循環(huán)中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。工藝需兼容于柔性或微型器件的制備。 |
| 2. 新型儲能材料制備：作為前驅(qū)體，用于沉積其他具有特定電化學(xué)活性的鉻基化合物薄膜。 |
六、 與其他領(lǐng)域用鉻靶材的對比分析
| 對比維度 | 磁記錄與儲能領(lǐng)域 | 裝飾與工具鍍膜領(lǐng)域 | 半導(dǎo)體與微電子領(lǐng)域 | 顯示面板領(lǐng)域 |
| 核心要求 | 結(jié)構(gòu)/功能導(dǎo)向：薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、磁學(xué)/電學(xué)性能精確可控，非磁性要求。 | 外觀/力學(xué)導(dǎo)向：色彩美觀性、高硬度、耐磨性、強(qiáng)附著力。 | 電學(xué)/可靠性導(dǎo)向：極致純度、納米級均勻性、超低缺陷，決定電路性能。 | 大面積光電性能導(dǎo)向：超大尺寸、鍍膜均勻性、特定導(dǎo)電/光學(xué)性能。 |
| 典型材質(zhì) | 鉻基合金為主（如CrTi, CrTaTi）。 | 純鉻及簡單合金（如與氮反應(yīng)生成CrN），注重成本。 | 超高純鉻（>99.995%）、精密合金。 | 高純鉻、摻雜鉻合金（用于TFT電極等）。 |
| 純度要求 | 高（≥99.9%），雜質(zhì)影響薄膜結(jié)構(gòu)。 | 中低（99.5%-99.9%），滿足基本性能即可。 | 極高（5N-6N以上），雜質(zhì)原子可導(dǎo)致器件失效。 | 高（4N-5N），保證電學(xué)性能均勻。 |
| 技術(shù)門檻與市場 | 門檻高，市場高度集中，長期被賀利氏等國際巨頭壟斷（曾占50%份額），國產(chǎn)化正在突破。 | 門檻低，市場完全競爭，已充分國產(chǎn)化。 | 門檻最高，供應(yīng)鏈安全至關(guān)重要，國產(chǎn)化是戰(zhàn)略焦點(diǎn)。 | 門檻高，與面板世代線綁定，國內(nèi)企業(yè)已實(shí)現(xiàn)主流尺寸供應(yīng)。 |
注：在光伏能源領(lǐng)域，鉻靶主要用于薄膜太陽能電池的背電極或阻擋層，要求良好的導(dǎo)電性和附著力，純度與技術(shù)門檻適中。在航空航天等領(lǐng)域，鉻基涂層主要用于高溫防護(hù)，要求優(yōu)異的耐腐蝕和耐磨性，對靶材純度的要求更多基于力學(xué)和化學(xué)性能考量。
七、 未來發(fā)展新領(lǐng)域與方向
面向超高密度存儲的新材料體系：
隨著硬盤面密度逼近物理極限，需要開發(fā)新一代存儲介質(zhì)。例如，錳鉻氧化物（如MnCr?O?） 等具有優(yōu)異軟磁性能和交換偏置效應(yīng)的材料，被研究用于下一代自旋電子學(xué)和磁記錄器件。這要求靶材制備技術(shù)從金屬合金擴(kuò)展到氧化物陶瓷靶材，并實(shí)現(xiàn)納米級成分與結(jié)構(gòu)的精確控制。
固態(tài)電池與微型儲能器件：
全固態(tài)薄膜電池是微型電子設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)傳感器的理想電源。鉻氮化合物（CrN） 等作為高性能負(fù)極材料的研究將繼續(xù)深入。未來需要開發(fā)適用于大面積、低溫度基底沉積的專用鉻基靶材，并解決薄膜與固態(tài)電解質(zhì)界面穩(wěn)定性等關(guān)鍵問題。
國產(chǎn)化產(chǎn)業(yè)鏈的深化與標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)：
雖然已在標(biāo)準(zhǔn)制定和批量供應(yīng)上取得突破，但在超高純原材料制備、靶材微觀組織的智能化調(diào)控、高端濺射裝備等方面，仍需全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同攻關(guān)。從“跟隨模仿”向“數(shù)據(jù)驅(qū)動-標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)”的創(chuàng)新范式轉(zhuǎn)變，是行業(yè)整體升級的關(guān)鍵。
制備技術(shù)的綠色與智能化升級：
探索更低能耗、更高材料利用率的靶材制備新工藝。同時(shí)，利用大數(shù)據(jù)和人工智能技術(shù)，對熱等靜壓等關(guān)鍵工藝過程進(jìn)行建模與優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品質(zhì)量的精準(zhǔn)預(yù)測與控制，提升高端靶材的制造效率和一致性。
總而言之，磁記錄與儲能用鉻靶材的發(fā)展，緊密跟隨信息存儲密度和電化學(xué)儲能技術(shù)的革新步伐。其未來不僅在于金屬合金體系的精益求精，更在于向功能化合物、氧化物陶瓷等新材料體系拓展，并通過深度融合數(shù)字化智能制造技術(shù)，實(shí)現(xiàn)從核心材料到高端裝備的全面自主可控。
