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凱澤金屬談常用的難溶金屬靶材類型及其應(yīng)用領(lǐng)域

發(fā)布時間:2023-02-20 10:52:56 瀏覽次數(shù) :

難熔金屬,一般包括鎢、鉭、鉬、鈮、鉿、鋯和鉭,其熔點都在1600℃以上。鎢、鉬等合金材料高溫強度和蠕變性能好,被廣泛用于微電子,照明光源、武器系統(tǒng)、原子能等行業(yè)。鉭鈮極其合金具有較低蒸氣壓、低熱膨脹系數(shù)、優(yōu)秀的抗腐蝕性能,被廣泛用于航空航天、化工裝備、集成電路、核能部門。將難熔金屬制作成靶材可將其優(yōu)秀性能以薄膜的形式利用。

靶材

濺射用靶材有如下幾種分類方法:如按材質(zhì)分靶材可分為金屬靶、高分子陶瓷非金屬靶和復(fù)合材料靶等。如按外形尺寸可分為圓柱形、長方形、正方形板靶和管靶。

因為一般常見的方靶圓靶都為實心,在鍍膜作業(yè)中,圓環(huán)形的永磁體在靶的表面產(chǎn)生的磁場為環(huán)形,會發(fā)生不均勻沖蝕現(xiàn)象 ,濺射的薄膜厚度均勻性不佳 ,靶材的使用效率大約只有 20% ~30% 。而目前被推廣的空心管靶可繞固定的條狀磁鐵組件一定周期旋轉(zhuǎn)運動,靶面可被均勻刻蝕 ,優(yōu)勢明顯,將利用率提高到 80% 。

1、 鎢靶

鎢是難熔金屬熔點最高的一種,具有穩(wěn)定的高溫特性、抗電子遷移能力和較高的電子發(fā)射系數(shù)等諸多優(yōu)點。鎢及鎢合金靶在微電子、集成電路等行業(yè)中被大量使用。Al、Cu,Ag目前是集成電路制造用得最多的互連線材料,一般來說介質(zhì)層是 Si或 SiO2 ,Al、Cu,Ag會向介質(zhì)中擴散而形成硅化物,從而使金屬連線的電流強度急劇變?nèi)酰麄€布線系統(tǒng)功能可能會因此而崩潰。最好的解決方案是在布線與介質(zhì)之間再進行屏蔽來阻擋擴散層,阻擋層金屬是鎢鈦。大量試驗證明,鎢鈦合金(鈦占10% ~30%)作為阻擋層已被成功地應(yīng)用于 Al、Cu和 Ag布線技術(shù)。由于金屬 鎢在其他金屬中原子的擴散率較低,可阻擋擴散,鈦可有效地阻止晶界擴散,另一方面也提高了阻擋層的黏結(jié)力和抗腐蝕性能 。

鎢靶還被應(yīng)用于裝飾鍍膜行業(yè),如手表、眼鏡、衛(wèi)生潔具、五金零件等產(chǎn)品,不僅能美化外觀,同時也具有抗磨損、腐蝕等功能。近些年來裝飾鍍膜用靶材的需求量日擴大 。 國內(nèi)研發(fā) 鎢靶材的主要單位有上海鋼鐵研究所、北京安泰科技、西北有色金屬研究院、株洲硬質(zhì)合金集團等。

2、 鉬靶

鉬具有高熔點、較低的比阻抗、高電導(dǎo)率、較好的耐腐蝕性而被廣泛用于 LCD 顯示屏、光伏電池中的配線、電極。還有集成電路的阻擋層材料。

金屬 Cr曾是 LCD 顯示屏配線的首選材料,如今超大型、高精度LCD 顯示屏發(fā)展迅速,這對材料的比阻抗提出了更高的要求。此外,環(huán)境保護也必須兼顧。金屬 鉬的膜應(yīng)力的比阻抗只有鉻的一半,且不會污染環(huán)境,諸多優(yōu)勢使金屬 鉬成為 LCD 顯示屏濺射靶材的最佳材料之一。

銅銦鎵硒(簡稱“CIGS”)薄膜太陽電池是一種最具有發(fā)展前景的薄膜太陽能電池,具有光電轉(zhuǎn)換效率高、無衰退、性能穩(wěn)定、成本低廉等諸多優(yōu)點。在光伏領(lǐng)域,國內(nèi)外學(xué)者們對 CIGS產(chǎn)生了極大的關(guān)注。CIGS薄膜太陽能電池的第五層就是背電極,電池的性能受背電極材料直接影響。鉬濺射的薄膜熱穩(wěn)定性良好、電阻率較低、還能與 CIGS層結(jié)合形成 良好的歐姆接觸。同時金屬 鉬薄膜還具有與上下玻璃層和 CIGS近似的熱膨脹系數(shù)等特點,已成為薄膜太陽電池背電極的必選材料 。 近些年來,全球的太陽能電池需求量激增,每年遞增 40% 以上。據(jù)報道,目前世界薄膜太陽能電池年發(fā)電總量約為660MW。 國內(nèi)研發(fā) 鉬靶的主要單位有金堆城鉬業(yè)、北京安泰科技、洛陽高新四豐等。安泰科技公司采用壓制-燒結(jié)-熱等靜壓法制備的了大量鉬及其合金靶材,相對密度逸99%。

3、鉭靶

當大規(guī)模集成電路進入到深亞微米時代時,Al線對應(yīng)力遷移和電遷移的抵抗能力相對較弱,這將造成布線空洞,導(dǎo)致電路系統(tǒng)完全失效。因此,金屬Cu布線將成為主流。Cu比 Al具有更高的抗電遷移能力和更低的電阻率,這意味著更小、更密集的連線可以承載更強的電流。低電阻提高了芯片速度。目前全球 130nm、90nm 及以下的器件生產(chǎn)商已經(jīng)采用

Cu互連工藝,Ta成為Cu互連的阻擋層。目前,超大規(guī)模集成電路已逐漸發(fā)展為 Cu/Ta系 。因為 Cu和 Si的化學(xué)活性高,擴散速度快,易形成銅硅合金(Cu-Si),銅在硅中形成深的空穴,設(shè)備的性能被嚴重影響,最終導(dǎo)致系統(tǒng)失效。鉭及鉭的化合物具有高熱穩(wěn)定性、高導(dǎo)電性和對外來原子的阻擋作用。

Cu和鉭以及 Cu和 N 之間不反應(yīng),不擴散形成化合物,因此鉭和鉭基膜成為阻擋層可有效防止銅的擴散 。

我國鉭儲量資源豐富,但在過去對半導(dǎo)體濺射靶材缺乏最基本的認識,從而限制了高純 鉭靶材的技術(shù)發(fā)展。在很長一段時間內(nèi),我國生產(chǎn)濺射靶材用的高純鉭原料主要依賴進口。寧夏東方鉭業(yè)通過多年研發(fā),掌握了高純鉭濺射靶材原料生產(chǎn)工藝方法,填補了國內(nèi)空白。寧波江豐電子材料股份有限公司也生產(chǎn)出了 300mm 高純鉭濺射靶材 。西安諾博爾稀貴金屬公司也掌握高純 鉭靶的生產(chǎn)工藝 。

4、 鈮靶

近些年,光電技術(shù)的發(fā)展迅速,鈮薄膜材料已廣泛應(yīng)用于與人們現(xiàn)代生活密切相關(guān)的 LCD、TFT等離子顯示屏、相機鏡頭鍍膜、光學(xué)鏡頭鍍膜、汽車和建筑工業(yè)用玻璃的制造中 。鈮靶材還用于表面工程材料,如化工耐腐蝕、船舶、耐熱、電子成像、信息儲存、高導(dǎo)電等鍍膜行業(yè) 。由于高的利用率,旋轉(zhuǎn)空心圓管磁控濺射靶目前在業(yè)內(nèi)得到廣泛推廣,鈮管靶主要應(yīng)用于平面顯示器、先進觸控屏和節(jié)能玻璃的表面鍍膜等行業(yè),對玻璃屏幕起抗反射作用。

我國研發(fā)鈮靶的主要單位有寧夏東方鉭業(yè)、西北有色金屬研究院等。據(jù)筆者了解,寶雞佳軍公司通過熔煉擠壓方式生產(chǎn)出了外徑 152mm,內(nèi)徑 125mm,長度為 3900mm 的大型鈮管靶,平均晶粒尺寸達到了 75.5μm 。

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