高純鈦濺射靶現(xiàn)在已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體裝置制造的金屬鍍工藝中! 日本的日礦材料公司生產(chǎn)高純鈦濺射靶、銅、鉭、鈷、鎢、鎳等高純金屬以及合金靶、鈦硅化物靶等!供給全世界的半導(dǎo)體廠家。高純鈦濺射靶主要是用做鋁配線的擴(kuò)散阻擋層的氮化鈦膜以及晶體管柵極的鈦硅化物。前者是在濺射中通入氮?dú)庖孕纬傻伳? 后者是在硅上形成鈦膜后由熱處理得硅化物膜。

一般靶材在濺射初期特性不穩(wěn)定，因此要用硅試片進(jìn)行預(yù)濺射!這既耗費(fèi)時(shí)間!降低生產(chǎn)效率，又使硅試片的再生費(fèi)用增大! 因而需要開發(fā)預(yù)濺射時(shí)間短的靶材。 濺射初期特性不穩(wěn)定是由于靶材表面物理特性與內(nèi)部不一致引起的，即靶材在機(jī)械加工時(shí)其表面形成了加工應(yīng)變層以及極細(xì)小的加工屑的緣故。

對機(jī)械加工的鈦靶表面進(jìn)行了測量和分析，結(jié)果表明，表面的平均粗糙度約為2.5μm;掃描電鏡（SEM）觀察發(fā)現(xiàn)表面存在許多片狀鈦微塵（加工屑）；用X射線衍射（XRD）法來大致推算加工應(yīng)變層的厚度約為50μm。 因此，為了縮短預(yù)濺射時(shí)間，必須完全除去表面的加工應(yīng)變層以及殘存的片狀鈦屑。

日礦材料公司開發(fā)了一種新的表面處理方法，稱作sputter Ready（SR）該方法分4 步進(jìn)行，首先除去機(jī)械加工的應(yīng)變層，然后除去上述工序引入的新的應(yīng)變層，最后對靶材表面進(jìn)行鏡面拋光處理。這樣總共要研磨去除約80μm對經(jīng)過該種表面處理的試樣進(jìn)行了表面粗糙度測定、SEM觀察、XRD測定及研磨砂布引起的污染的測定。

表面粗糙度的測定結(jié)果表明： 平均表面粗糙度約為0.25μm，約為機(jī)械加工表面粗糙度的1/10 SEM觀察表面，表面的機(jī)械加工痕跡已完全除去，表面存在的片狀鈦微塵。（加工屑）也已完全除去，未有發(fā)現(xiàn)研磨的傷痕，XRD測定的（002）面半峰寬比機(jī)械加工的小，表明已除去了機(jī)械加工的應(yīng)變層，但比電解加工表面的大，表明機(jī)械研磨引入了新的加工應(yīng)變層，因此，還要對靶材表面進(jìn)行鏡面拋光處理。 對表面處理的試樣進(jìn)行洗凈后用輝光放電光譜分析，結(jié)果表明，試樣表面的Al、W、Co、Si的含量很低，可以確認(rèn)其表面已是清潔的表面。

對表面處理的鈦靶材進(jìn)行實(shí)際的濺射試驗(yàn)評價(jià)，硅片直徑為203.2mm，鈦靶直徑為329.692mm，氬氣壓力為661.61Pa,基板與靶的距離為45μm，基板溫度為150℃，用激光照射以檢驗(yàn)鈦靶表面有無微塵異物， 用OMNI、Map  RS-75儀測定鍍膜硅片上49點(diǎn)的比電阻,用以進(jìn)行膜厚均勻性的評價(jià)。結(jié)果表明，經(jīng)SR處理的鈦靶在濺射初期微塵顆粒約為2.3%，而機(jī)械加工的鈦靶的濺射膜，其膜厚均勻性在電功率達(dá)10KW以上時(shí)仍不穩(wěn)定，這是由于機(jī)械加工引起的加工應(yīng)變層使得在濺射時(shí)濺射粒子的出射角度不一致造成的。

近年來，半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部配線材料由鋁改為銅，隨之?dāng)U散阻擋層也由鈦靶改用鉭靶，晶體管柵極也由鈦硅化物改用鈷硅化物和鎳硅化物。而上述開發(fā)的SR表面處理技術(shù)不僅適合于鈦靶，對其它各種靶材的縮短濺射初期的預(yù)濺射時(shí)間也是有效的手段。

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