靶材的鍍膜凱澤金屬在之前的文章中簡單講過，在濺射的過程中，對靶材的質量相比于傳統的材料行業來說，要求較為高些。在“靶材質量對大面積鍍膜生產的三大影響” 本文中，凱澤金屬為大家介紹了靶材相對密度和孔隙的影響、形狀的影響以及晶粒尺寸和結晶方向的影響。

濺射鈦靶材的純度對要進行鍍薄膜的性能影響比較大。當表面清潔的玻璃進入高真空鍍膜腔室內，如果靶材純度不夠，在電場及磁場的作用下，靶材中的雜質顆粒在濺射過程中會附著到玻璃表面，造成部分位置的膜層不牢固出現脫膜現象。因此，靶材的純度越高，所鍍薄膜的性能越好。尹榮德在對純度為99.9%的銅靶進行研究的過程中發現，在Cu靶制備的過程中難免會引入硫和鉛元素，微量S的加入可以防止熱加工過程中晶粒尺寸變大和產生微裂紋等使表面粗糙的情況發生。

但是含量添加高于18ppm時，又會出現微裂紋，隨著S、Pb兩種雜質元素量的增加，靶材裂紋數量及打弧放電次數均會有所增加。所以應盡可能降低靶材中的雜質含量，減少濺射薄膜污染源，提高薄膜的均勻性。

對于導熱性能差的靶材，例如SiA1靶，常會由于靶材內存在雜質引起傳熱受阻，或者生產使用的冷卻水溫和實際鍍膜線水溫存在差異等原因造成使用過程中靶材開裂般情況下，輕微的裂紋不會對鍍膜生產造成很大的影響。但當靶材出現較為明顯的裂縫時，電荷非常容易在裂縫部位邊緣集中，從而導致靶表異常放電。放電現象會導致出現掉渣，成膜異常，產品報廢量增加。所以在制備靶材的過程中，除控制純度外，也應該控制制備工藝條件。

對于合金靶材，常會出現材料分布不均的現象，如SiAl靶中的鋁團聚，鋅鋁靶中鋁的偏析(鋁的原子質量為27小于鋅的原子質量65,澆注后在冷卻過程中鋁會上浮，引起側鋁含量高，側低)。由于熔點低，SiA1靶中團聚的Al在濺射成膜過程中非常容易出現掉渣，而噴涂過程中A1的加入量是定的，部分出現團聚時說明其它位置鋁含量偏少，影響SiA1靶的導熱和導電性，從而使濺射速率出現不致，膜層均勻性變差，靶材出現開裂，加劇靶材放電的現象，也會降低成膜質量。而靶材成分的偏析會影響濺射速率(膜層均勻性)和膜層成分。因此，除控制靶材純度外，合金靶中材質的分布也是至關重要的。

以上就是靶材純度和材質均勻性對大面積鍍膜生產的影響，大家記住了么？在鍍膜之前定要牢牢把控住對質量的把控，之后小凱澤金屬還會為大家介紹其他在鍍膜時，哪些因素會產生影響。還請關注寶雞市凱澤金屬材料有限公司。

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