1、定義TA2純鈦靶是以中國國家標準 GB/T 3620.1 中的 TA2（工業純鈦） 為基礎材料，通過特殊提純工藝加工而成的濺射靶材。TA2鈦的純度通常為 99.2%-99.5%，但通過二次熔煉和精煉可... 【詳情】

1、定義TA1純鈦靶管是以中國國家標準 GB/T 3620.1 中的 TA1（工業純鈦） 為基礎材料，通過二次提純和精密加工制成的空心圓柱形濺射靶材。其純度通過特殊工藝提升 99.9%（3N級） 以上，... 【詳情】

異形鈦靶材通過定制化設計解決了復雜結構鍍膜的行業痛點，盡管初期成本與周期較高，但其在材料利用率、鍍膜精度上的優勢顯著。選購時需緊密協同設計與工藝團隊，優先選擇具備增材制造與精密加工能力的供應商，并通過小批量試制驗證可行性。在半導體3D集成、航空航天高溫涂層等前沿領域... 【詳情】

集成電路（IC）用鈦靶材是通過物理氣相沉積（PVD）工藝（如磁控濺射、離子鍍）在硅基芯片表面沉積鈦薄膜的高純度材料，主要用于導電粘附層、擴散阻擋層及接觸孔填充。其核心作用... 【詳情】

產品名稱：鈦靶塊執行標準： GB/T2695-1996，ASTM B348-97產 地：陜西寶雞材 質：Ti純 度：99.9%-99.99%晶 粒 度：<100um規格：可以按照用戶需要定制應用領域：適用電子、五金、鐘表、眼鏡、... 【詳情】

產品名稱：鈦靶材、鈦多弧靶, 鈦靶塊，鈦塊牌號：TA0，TA1，TA2，GR1，GR2執行標準：GB/T2695-1996，ASTM B348-97用途：用于半導體分離器件、平面顯示器、儲存器電極薄膜、濺射鍍膜、工件表面涂... 【詳情】